这些新型存储器的优点是什么?

婴儿车

PRAM(相变存储器)，也称为PCM(相变存储器)，据报道，这种存储器技术是一种中间有相变层的三明治结构(类似光盘材料，GST)。这种材料的特点之一就是它会处于晶体变化(低电阻状态)和非晶化(高电阻状态)，也就是利用这种高低电阻状态的变化来实现储存。与传统存储技术相比，PRAM具有读写速度快、耐用性强、非易失性等特点，读取速度和写入次数均优于领先的NAND闪存。

MRAM

磁存储器(MRAM)是一种非易失性存储器。据报道，MRAM技术的速度接近静态随机存储的高速读写能力。它具有闪存的非易失性，容量密度和使用寿命不输给DRAM。但平均能耗比DRAM低很多，基本上可以无限使用。重复写。

MRAM已经受到许多行业巨头的青睐。摩托罗拉半导体部门、IBM、英飞凌、赛普拉斯、瑞萨、三星电子、SK海力士、美光等相继投资开发MRAM。目前，MRAM技术正朝着第二代发展。目前研究的主流是TAS-MRAM和STT-MRAM。STT-MRAM被认为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器。Everspin、三星电子(Samsung Electronics)、IBM、Grandis等公司都涉足了这一领域。

弗拉姆号

铁电存储器(FRAM)的学名是FeRAM。业界一般称之为FRAM，这是一种非易失性存储器。使用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电性的非易失性数据存储存储器。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取设备)的特点，具有高速读写、高读写耐久性、低功耗和抗篡改等优点。据了解，FRAM技术早在1921年就被提出。1993年，美国Ramtron成功开发了第一款4k位铁电存储器FRAM产品。官网下载FRAM存储器逐渐开始商业化。主要供应商有Ramtrom、TI、富士通等。富士通过去曾为Ramtrom生产批量生产的晶圆oem。官网下载双方于2020年终止合作，富士通开始自主开发FRAM，并全力推动。

ReRAM

ReRAM(电阻可变存储器)是一种非易失性存储器，通过对金属氧化物膜施加脉冲电压，产生很大的电阻差来存储“0”和“1”。结构非常简单。两侧的电极夹在金属氧化物中，这简化了制造过程。同时，它可以实现低功耗和高速重写。更适合可穿戴设备和小型医疗设备市场。

NRAM

NRAM(碳纳米管存储器)是一种基于碳纳米管的非易失性存储器。该技术由美国Nantero公司开发，并被富士通授权为NRAM的第一个商业合作伙伴。富士通从Nantero购买IP，获得NRAM设计、生产和销售许可。官网下载据介绍，NRAM规格与FRAM相似或接近，存储密度远高于FRAM，读写速度接近DRAM，比NAND Flash快100倍，具有Flash 1000倍以上的读写时间，且存储的信息可以维护