直接提供Ace2模型廉价手机自机 Android智能

AUPGRADE64GB4-2130DR4-2666V-L负载减缩4DRX4CL19288PIN1.20V内存

技术通用SPEC资讯类
官网下载产品名	64GBDLD42666ECCLRIDIMM1.2V
制造者部件号	64gb4rx4c42666v-l智能包
官网下载产品类型	RAM模块
技术资讯
内存大小	64GB
内存技术	DRRM4
内存电压	1.2五
存储速度	2666MHz
内存标准	DDR4-2666/PC4-21300
错误检查	ECCREG
信号处理	重构ECCLDIM
CAS延时	CL19
物理特征学
素数	288-pin
窗体因子	反射龙头
保证书
有限保证	1-3年

偏差选择 :

购买 Samung64GB PC4-2130DR42666V-L负载减4DRX4CL19288PIN1.20V内存模块LRDIMMMMMMMMM3886A8K40BM2-CTD

Mta72Ass8G72Lz-2G6D2 Micron 64GbP42666V-L内存模块

HMA8GL7AMR4NVKHYNIX64BDDDD426664RX4LRDIMMAP4-2300SKHYNIX64GBPC4-2666VLLLLLOAD解码ECC4DRX4MERY

815101-B2188842-B21HP/E 64GB4RX4PC42666V-L智能包-100%保证满足

HP/E 815101-B21 64GB4DRx4PC4-21-3002666MHz内存850882-001-HP/HPE 64GBPC4-21-300DLAD4-2666V-LLOADRED4DRX4

FAQ:

Lrdimm和RDIM内存有什么区别

RDIMMs比LRDIMMs便宜电量如果系统内存能力不是关键因素,它们也可以达到最高速度LRDIMM提供更高的DRAM存储容量数据比特缓冲在数据缓冲区内,因此他们可能支持更多包级

哪个更好减载或注册DIMM

LRDIMMs提供更高容量

LRDIMMs系统配置内存脚印最大LRDIMMs使用更多功率并比低容量RDIMMs高延下表显示使用LRDIMvs

dimm的劣势何在

注册DIMM的缺陷是比无缓冲模块略低并更高价存储于DRAM单元中的数据可能变质,以宇宙辐射为例错误还可能由读写时的噪声或干扰引起

联系方式如下:

电子邮件:亚搏手机版appailonwang@qyunqu.com

热标签64gb4rx4pc42665v-l智能包川e52,qnap Nas8gb公交,16gb4400mhz,川白金8176,ThinkpadSsdNvmecie128gb内部,英特尔xeonm